IRF6702M2DTR1PBF

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Spécifications

Modèle de produit

IRF6702M2DTR1PBF
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IRF6702M2DTR1PBF.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2.35V @ 25µA
Package composant fournisseur

DIRECTFET™ MA
Séries

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.6 mOhm @ 15A, 10V
Puissance - Max

2.7W
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

DirectFET™ Isometric MA
Autres noms

IRF6702M2DTR1P
IRF6702M2DTR1P-ND
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1380pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 4.5V
type de FET

2 N-Channel (Dual)
Fonction FET

Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss)

30V
Description détaillée

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 15A 2.7W Surface Mount DIRECTFET™ MA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

15A

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Ce qui suit est des produits liés à "IRF6702M2DTR1PBF".

IRF6674TR1PBF

La description: MOSFET N-CH 60V 13.4A DIRECTFET

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)

En stock

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