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IRF7807VD1

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Spécifications
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    IRF7807VD1
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
  • État sans plomb / État RoHS
    Contient du plomb / Non conforme à RoHS
  • Livret des spécifications
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    8-SO
  • Séries
    FETKY™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    25 mOhm @ 7A, 4.5V
  • Dissipation de puissance (max)
    2.5W (Ta)
  • Emballage
    Tube
  • Package / Boîte
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Autres noms
    *IRF7807VD1
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    14nC @ 4.5V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    Schottky Diode (Isolated)
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    4.5V
  • Tension drain-source (Vdss)
    30V
  • Description détaillée
    N-Channel 30V 8.3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    8.3A (Ta)
IRF7807D1TRPBF

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