1907371

International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF7807VD2PBF

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Spécifications

Modèle de produit

IRF7807VD2PBF
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IRF7807VD2PBF.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

8-SO
Séries

FETKY™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

25 mOhm @ 7A, 4.5V
Dissipation de puissance (max)

2.5W (Ta)
Emballage

Tube
Package / Boîte

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Autres noms

SP001575258
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 4.5V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

Schottky Diode (Isolated)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V
Tension drain-source (Vdss)

30V
Description détaillée

N-Channel 30V 8.3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

8.3A (Ta)

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Ce qui suit est des produits liés à "IRF7807VD2PBF".

IRF7807ZTRPBF

La description: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)

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IRF7807VD2PBF

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