International Rectifier (Infineon Technologies)

IRFB3207PBF

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Spécifications

Modèle de produit

IRFB3207PBF
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IRFB3207PBF.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-220AB
Séries

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.5 mOhm @ 75A, 10V
Dissipation de puissance (max)

330W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-220-3
Autres noms

*IRFB3207PBF
SP001572410
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

7600pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

260nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

75V
Description détaillée

N-Channel 75V 170A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

170A (Tc)

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IRFB3306GPBF

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