International Rectifier (Infineon Technologies)

IRFB3307ZPBF

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Spécifications

Modèle de produit

IRFB3307ZPBF
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IRFB3307ZPBF.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 150µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-220AB
Séries

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.8 mOhm @ 75A, 10V
Dissipation de puissance (max)

230W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-220-3
Autres noms

SP001564038
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

4750pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

110nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

75V
Description détaillée

N-Channel 75V 120A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-220AB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

120A (Tc)

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "IRFB3307ZPBF".

IRFB3607GPBF

La description: MOSFET N-CH 75V 80A TO220AB

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)

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