IRG7CH73K10EF-R

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Spécifications

Modèle de produit

IRG7CH73K10EF-R
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IRG7CH73K10EF-R.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

1200V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic

1.6V @ 15V, 20A
Condition de test

600V, 75A, 5 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C

105ns/45ns
énergie de commutation

-
Package composant fournisseur

Die
Séries

-
Emballage

Bulk
Package / Boîte

Die
Autres noms

SP001540592
Température de fonctionnement

-40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée

Standard
type de IGBT

-
gate charge

420nC
Description détaillée

IGBT 1200V Surface Mount Die

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livraison
Mode de paiement

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Nous prenons en charge plusieurs méthodes de paiement, y compris les cartes de crédit, les transports en fil et d'autres options, et acceptons la plupart des devises.Pour les commandes passées en USD, des options de paiement supplémentaires sont disponibles.Pour plus de détails sur les méthodes et procédures de paiement, veuillez contacter notre équipe de vente.

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IRG7CH75UED-R

La description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)

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IRG7CH73K10EF-R

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