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IRG7CH75K10EF-R

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Spécifications

Modèle de produit

IRG7CH75K10EF-R
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IRG7CH75K10EF-R.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

1200V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic

1.53V @ 15V, 20A
Condition de test

600V, 100A, 5 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C

120ns/445ns
énergie de commutation

-
Package composant fournisseur

Die
Séries

-
Emballage

Bulk
Package / Boîte

Die
Autres noms

SP001537304
Température de fonctionnement

-40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée

Standard
type de IGBT

-
gate charge

500nC
Description détaillée

IGBT 1200V Surface Mount Die

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livraison
Mode de paiement

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IRG7CH75UED-R

La description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)

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