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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IRLHM630TRPBF

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IRLHM630TRPBF image

International Rectifier (Infineon Technologies)

IRLHM630TRPBF

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Spécifications

Modèle de produit

IRLHM630TRPBF
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IRLHM630TRPBF.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

1.1V @ 50µA
Vgs (Max)

±12V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

PQFN (3x3)
Séries

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.5 mOhm @ 20A, 4.5V
Dissipation de puissance (max)

2.7W (Ta), 37W (Tc)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

8-VQFN Exposed Pad
Autres noms

IRLHM630TRPBF-ND
IRLHM630TRPBFTR
SP001568974
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

3170pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

62nC @ 4.5V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

2.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

30V
Description détaillée

N-Channel 30V 21A (Ta), 40A (Tc) 2.7W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount PQFN (3x3)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

21A (Ta), 40A (Tc)

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