International Rectifier (Infineon Technologies)

IRLHS6342TRPBF

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Spécifications

Modèle de produit

IRLHS6342TRPBF
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 30V 8.7A PQFN
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IRLHS6342TRPBF.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

1.1V @ 10µA
Vgs (Max)

±12V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

6-PQFN (2x2)
Séries

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

15.5 mOhm @ 8.5A, 4.5V
Dissipation de puissance (max)

2.1W (Ta)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

6-PowerVDFN
Autres noms

IRLHS6342TRPBF-ND
IRLHS6342TRPBFTR
SP001573840
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1019pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 4.5V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

2.5V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss)

30V
Description détaillée

N-Channel 30V 8.7A (Ta), 19A (Tc) 2.1W (Ta) Surface Mount 6-PQFN (2x2)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

8.7A (Ta), 19A (Tc)

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "IRLHS6342TRPBF".

IRLI3705NPBF

La description: MOSFET N-CH 55V 52A TO220FP

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)

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IRLHS6342TRPBF

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