International Rectifier (Infineon Technologies)

SPB80N06S08ATMA1

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Spécifications

Modèle de produit

SPB80N06S08ATMA1
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

SPB80N06S08ATMA1.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 240µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

PG-TO263-3-2
Séries

SIPMOS®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.7 mOhm @ 80A, 10V
Dissipation de puissance (max)

300W (Tc)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms

SP000054056
SP000084808
SPB80N06S-08
SPB80N06S-08-ND
SPB80N06S08
SPB80N06S08ATMA1TR
SPB80N06S08T
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

3660pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

187nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

55V
Description détaillée

N-Channel 55V 80A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

80A (Tc)

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SPB80N06S2-08

La description: MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK

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