International Rectifier (Infineon Technologies)

SPB80N03S2L-05 G

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Spécifications

Modèle de produit

SPB80N03S2L-05 G
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

SPB80N03S2L-05 G.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 110µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

PG-TO263-3-2
Séries

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.9 mOhm @ 55A, 10V
Dissipation de puissance (max)

167W (Tc)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms

SP000200144
SPB80N03S2L-05 G-ND
SPB80N03S2L-05G
SPB80N03S2L05GXT
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

3320pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

89.7nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

30V
Description détaillée

N-Channel 30V 80A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

80A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "SPB80N03S2L-05 G".

SPB80N04S2-04

La description: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)

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SPB80N03S2L-05 G

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