DTC023JMT2L

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Spécifications

Modèle de produit

DTC023JMT2L
Fabricant / marque

LAPIS Technology
Quantité en stock

En stock
La description
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.DTC023JMT2L.pdf
2.DTC023JMT2L.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type

NPN - Pre-Biased
Package composant fournisseur

VMT3
Séries

-
Résistance - Base de l'émetteur (R2)

47 kOhms
Résistance - Base (R1)

2.2 kOhms
Puissance - Max

150mW
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

SOT-723
Autres noms

DTC023JMT2LTR
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

10 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition

250MHz
Description détaillée

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount VMT3
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

-
Courant - Collecteur (Ic) (max)

100mA

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livraison
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La description:

Fabricant: LAPIS Semiconductor

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