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6552239DTC023EEBTL imageLAPIS Semiconductor

DTC023EEBTL

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Spécifications
  • Modèle de produit
    DTC023EEBTL
  • Fabricant / marque
    LAPIS Technology
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    1.DTC023EEBTL.pdf
    2.DTC023EEBTL.pdf
  • Modèle ECAD
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    50V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    200mV @ 1mA, 10mA
  • Transistor Type
    NPN - Pre-Biased
  • Package composant fournisseur
    EMT3F (SOT-416FL)
  • Séries
    -
  • Résistance - Base de l'émetteur (R2)
    2.2 kOhms
  • Résistance - Base (R1)
    2.2 kOhms
  • Puissance - Max
    150mW
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    SC-89, SOT-490
  • Autres noms
    DTC023EEBTLTR
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    40 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Fréquence - Transition
    250MHz
  • Description détaillée
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT3F (SOT-416FL)
  • Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    20 @ 20mA, 10V
  • Courant - Collecteur Cutoff (Max)
    -
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    100mA

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DTC014TUBTL

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DTC023YMT2L

DTC023YMT2L

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DTC023JMT2L

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DTC023JUBTL

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DTC023JEBTL

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DTC024EEBTL

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La description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.15W SC89

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DTC015TUBTL

DTC015TUBTL

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DTC023YEBTL

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DTC014YMT2L

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DTC023EMT2L

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DTC014YEBTL

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DTC015EEBTL

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DTC023YUBTL

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