DTC114EU3T106

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Spécifications

Modèle de produit

DTC114EU3T106
Fabricant / marque

LAPIS Technology
Quantité en stock

En stock
La description

NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

DTC114EU3T106.pdf
Modèle ECAD
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type

NPN - Pre-Biased + Diode
Package composant fournisseur

UMT3
Séries

-
Résistance - Base de l'émetteur (R2)

10 kOhms
Résistance - Base (R1)

10 kOhms
Puissance - Max

200mW
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

SC-70, SOT-323
Autres noms

DTC114EU3T106TR
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

7 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition

250MHz
Description détaillée

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased + Diode 100mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

-
Courant - Collecteur (Ic) (max)

100mA

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Ce qui suit est des produits liés à "DTC114EU3T106".

DTC114EEFRATL

La description: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

Fabricant: LAPIS Semiconductor

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