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DTC114GUAT106

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Spécifications

Modèle de produit

DTC114GUAT106
Fabricant / marque

LAPIS Technology
Quantité en stock

En stock
La description

TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.DTC114GUAT106.pdf
2.DTC114GUAT106.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type

NPN - Pre-Biased
Package composant fournisseur

UMT3
Séries

-
Résistance - Base de l'émetteur (R2)

10 kOhms
Puissance - Max

200mW
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

SC-70, SOT-323
Autres noms

DTC114GUAT106-ND
DTC114GUAT106TR
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition

250MHz
Description détaillée

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

500nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max)

100mA
Numéro de pièce de base

DTC114

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livraison
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DTC114TEBTL

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Fabricant: LAPIS Semiconductor

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