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4569065DTDG14GPT100 imageLAPIS Semiconductor

DTDG14GPT100

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Spécifications
  • Modèle de produit
    DTDG14GPT100
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    TRANS PREBIAS NPN 2W MPT3
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    60V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    400mV @ 5mA, 500mA
  • Transistor Type
    NPN - Pre-Biased
  • Package composant fournisseur
    MPT3
  • Séries
    -
  • Résistance - Base de l'émetteur (R2)
    10 kOhms
  • Puissance - Max
    2W
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    TO-243AA
  • Autres noms
    DTDG14GPT100TR
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    10 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Fréquence - Transition
    80MHz
  • Description détaillée
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 60V 1A 80MHz 2W Surface Mount MPT3
  • Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    300 @ 500mA, 2V
  • Courant - Collecteur Cutoff (Max)
    500nA (ICBO)
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    1A
  • Numéro de pièce de base
    DTDG14
DTD743EMT2L

DTD743EMT2L

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DTD723YETL

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DTD543XMT2L

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DTD513ZMT2L

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DTDG23YPT100

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DTD523YETL

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DTD713ZETL

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DTD523YMT2L

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DTD543XETL

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DTD743ZMT2L

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DTD743EETL

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DTD743XMT2L

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DTD543EMT2L

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DTD743ZETL

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