EMH11T2R

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Spécifications

Modèle de produit

EMH11T2R
Fabricant / marque

LAPIS Technology
Quantité en stock

En stock
La description

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.EMH11T2R.pdf
2.EMH11T2R.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type

2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Package composant fournisseur

EMT6
Séries

-
Résistance - Base de l'émetteur (R2)

10 kOhms
Résistance - Base (R1)

10 kOhms
Puissance - Max

150mW
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

SOT-563, SOT-666
Autres noms

EMH11T2R-ND
EMH11T2RTR
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

10 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition

250MHz
Description détaillée

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

100mA
Numéro de pièce de base

*MH11

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Ce qui suit est des produits liés à "EMH11T2R".

EMH11FHAT2R

La description: NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR

Fabricant: LAPIS Semiconductor

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