EMH1FHAT2R

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Spécifications

Modèle de produit

EMH1FHAT2R
Fabricant / marque

LAPIS Technology
Quantité en stock

En stock
La description

NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.EMH1FHAT2R.pdf
2.EMH1FHAT2R.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

-
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type

2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Package composant fournisseur

EMT6
Séries

Automotive, AEC-Q101
Résistance - Base de l'émetteur (R2)

22 kOhms
Résistance - Base (R1)

22 kOhms
Puissance - Max

150mW
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

SOT-563, SOT-666
Autres noms

EMH1FHAT2RTR
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

7 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition

250MHz
Description détaillée

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

56 @ 5mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

-
Courant - Collecteur (Ic) (max)

100mA

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Ce qui suit est des produits liés à "EMH1FHAT2R".

EMH1307-TL-H

La description: MOSFET P-CH 20V 6.5A EMH8

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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