HS8K11TB

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Spécifications

Modèle de produit

HS8K11TB
Fabricant / marque

LAPIS Technology
Quantité en stock

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La description

MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.HS8K11TB.pdf
2.HS8K11TB.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA
Package composant fournisseur

HSML3030L10
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

17.9 mOhm @ 7A, 10V
Puissance - Max

2W
Emballage

Cut Tape (CT)
Package / Boîte

8-UDFN Exposed Pad
Autres noms

HS8K11TBCT
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

40 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

500pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

11.1nC @ 10V
type de FET

2 N-Channel (Dual)
Fonction FET

Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss)

30V
Description détaillée

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 7A, 11A 2W Surface Mount HSML3030L10
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

7A, 11A

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livraison
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Nous prenons en charge plusieurs méthodes de paiement, y compris les cartes de crédit, les transports en fil et d'autres options, et acceptons la plupart des devises.Pour les commandes passées en USD, des options de paiement supplémentaires sont disponibles.Pour plus de détails sur les méthodes et procédures de paiement, veuillez contacter notre équipe de vente.

Ce qui suit est des produits liés à "HS8K11TB".

IRF7754GTRPBF

La description: MOSFET 2P-CH 12V 5.5A 8TSSOP

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)

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