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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - tableaux > SP8M8FU6TB
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SP8M8FU6TB

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Spécifications
  • Modèle de produit
    SP8M8FU6TB
  • Fabricant / marque
    LAPIS Technology
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.5A 8SOIC
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    SP8M8FU6TB.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Package composant fournisseur
    8-SOP
  • Séries
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    30 mOhm @ 6A, 10V
  • Puissance - Max
    2W
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Température de fonctionnement
    150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    520pF @ 10V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    10.1nC @ 5V
  • type de FET
    N and P-Channel
  • Fonction FET
    Logic Level Gate
  • Tension drain-source (Vdss)
    30V
  • Description détaillée
    Mosfet Array N and P-Channel 30V 6A, 4.5A 2W Surface Mount 8-SOP
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    6A, 4.5A
  • Numéro de pièce de base
    *M8

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RFQ
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La description: MOSFET N/P-CH 250V 3A/2.5A 8SOIC

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La description: MOSFET N/P-CH 30V 9A/5A 8SOIC

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RFQ
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La description: 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET (CORRESP

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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La description: 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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La description: MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.5A 8SOIC

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Fabricant: LAPIS Semiconductor
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SP8M6FU6TB

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RFQ
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