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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - tableaux > MP6M14TCR
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2867371MP6M14TCR imageLAPIS Semiconductor

MP6M14TCR

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Spécifications
  • Modèle de produit
    MP6M14TCR
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N/P-CH 30V 8A/6A MPT6
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Package composant fournisseur
    MPT6
  • Séries
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    25 mOhm @ 8A, 10V
  • Puissance - Max
    2W
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    6-SMD, Flat Leads
  • Autres noms
    MP6M14TCRTR
  • Température de fonctionnement
    150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    470pF @ 10V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    7.3nC @ 5V
  • type de FET
    N and P-Channel
  • Fonction FET
    Logic Level Gate, 4V Drive
  • Tension drain-source (Vdss)
    30V
  • Description détaillée
    Mosfet Array N and P-Channel 30V 8A, 6A 2W Surface Mount MPT6
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    8A, 6A
  • Numéro de pièce de base
    *M14
MP6KE82A

MP6KE82A

La description: TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
MP6Z13TR

MP6Z13TR

La description: TRANS NPN/PNP 50V 3A 6MPT

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
MP6KE91CA

MP6KE91CA

La description: TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
MP6KE8.2AE3

MP6KE8.2AE3

La description: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
MP6KE8.2CAE3

MP6KE8.2CAE3

La description: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
MP6KE82AE3

MP6KE82AE3

La description: TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
MP6KE9.1CAE3

MP6KE9.1CAE3

La description: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
MP6KE8.2A

MP6KE8.2A

La description: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
MP6KE9.1AE3

MP6KE9.1AE3

La description: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
MP6KE8.2CA

MP6KE8.2CA

La description: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
MP6KE82CA

MP6KE82CA

La description: TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
MP6KE91A

MP6KE91A

La description: TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
MP6M11TCR

MP6M11TCR

La description: MOSFET N/P-CH 30V 3.5A MPT6

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
MP6KE91AE3

MP6KE91AE3

La description: TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
MP6KE82CAE3

MP6KE82CAE3

La description: TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
MP6M12TCR

MP6M12TCR

La description: MOSFET N/P-CH 30V 5A MPT6

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
MP6KE75CAE3

MP6KE75CAE3

La description: TVS DIODE 64.1VWM 103VC T18

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
MP6KE9.1CA

MP6KE9.1CA

La description: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
MP6KE9.1A

MP6KE9.1A

La description: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
MP6KE91CAE3

MP6KE91CAE3

La description: TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock

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