Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - tableaux > MP6Z13TR
Demander une offre en ligne
Français
5617125MP6Z13TR imageLAPIS Semiconductor

MP6Z13TR

Demander une offre en ligne

Veuillez compléter tous les champs requis avec vos coordonnées. Cliquez sur "Soumettre RFQ", nous vous contacterons sous peu par e-mail.Ou envoyez-nous un e-mail:info@ftcelectronics.com
Enquête en ligne
Spécifications
  • Modèle de produit
    MP6Z13TR
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    TRANS NPN/PNP 50V 3A 6MPT
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Modèle ECAD
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    50V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    350mV @ 50mA, 1A / 400mV @ 50mA, 1A
  • Transistor Type
    NPN, PNP
  • Package composant fournisseur
    MPT6
  • Séries
    -
  • Puissance - Max
    2W
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    6-SMD, Flat Leads
  • Autres noms
    Q6052732
  • Température de fonctionnement
    150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Fréquence - Transition
    320MHz, 300MHz
  • Description détaillée
    Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 3A 320MHz, 300MHz 2W Surface Mount MPT6
  • Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    180 @ 50mA, 3V
  • Courant - Collecteur Cutoff (Max)
    1µA (ICBO)
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    3A
MP6M11TCR

MP6M11TCR

La description: MOSFET N/P-CH 30V 3.5A MPT6

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
MP6KE82A

MP6KE82A

La description: TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
MP6KE8.2CA

MP6KE8.2CA

La description: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
MP6KE8.2AE3

MP6KE8.2AE3

La description: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
MP6KE9.1CAE3

MP6KE9.1CAE3

La description: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
MP6KE91A

MP6KE91A

La description: TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
MP6KE9.1AE3

MP6KE9.1AE3

La description: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
MP6KE75CAE3

MP6KE75CAE3

La description: TVS DIODE 64.1VWM 103VC T18

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
MP6KE82CA

MP6KE82CA

La description: TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
MP6KE9.1CA

MP6KE9.1CA

La description: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
MP6M14TCR

MP6M14TCR

La description: MOSFET N/P-CH 30V 8A/6A MPT6

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
MP6M12TCR

MP6M12TCR

La description: MOSFET N/P-CH 30V 5A MPT6

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
MP6KE9.1A

MP6KE9.1A

La description: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
MP6KE91CA

MP6KE91CA

La description: TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
MP6KE82CAE3

MP6KE82CAE3

La description: TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
MP6KE91CAE3

MP6KE91CAE3

La description: TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
MP6KE91AE3

MP6KE91AE3

La description: TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
MP6KE82AE3

MP6KE82AE3

La description: TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
MP6KE8.2CAE3

MP6KE8.2CAE3

La description: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
MP6KE8.2A

MP6KE8.2A

La description: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock

Review (1)

Choisir la langue

Cliquez sur l'espace pour quitter