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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > R6009ENJTL
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1641672R6009ENJTL imageLAPIS Semiconductor

R6009ENJTL

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Spécifications
  • Modèle de produit
    R6009ENJTL
  • Fabricant / marque
    LAPIS Technology
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 600V 9A LPT
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    1.R6009ENJTL.pdf
    2.R6009ENJTL.pdf
  • Modèle ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    LPTS (D2PAK)
  • Séries
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    535 mOhm @ 2.8A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    40W (Tc)
  • Emballage
    Cut Tape (CT)
  • Package / Boîte
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Autres noms
    R6009ENJTLCT
  • Température de fonctionnement
    150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    17 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    430pF @ 25V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    23nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    600V
  • Description détaillée
    N-Channel 600V 9A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount LPTS (D2PAK)
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    9A (Tc)

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Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "R6009ENJTL".
R6007KNJTL

R6007KNJTL

La description: MOSFET N-CHANNEL 600V 7A TO263

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
R6008-00

R6008-00

La description: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYLON 8MM

Fabricant: Harwin
En stock
RFQ
R60100-1STR

R60100-1STR

La description: FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS

Fabricant: Bussmann (Eaton)
En stock
RFQ
R60100-1CR

R60100-1CR

La description: FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS

Fabricant: Bussmann (Eaton)
En stock
RFQ
R6009ENX

R6009ENX

La description: MOSFET N-CH 600V 9A TO220

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
R6009KNX

R6009KNX

La description: MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
R6008FNX

R6008FNX

La description: MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
R6008ANX

R6008ANX

La description: MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
R6007ENJTL

R6007ENJTL

La description: MOSFET N-CH 600V 7A LPT

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
R6009KNJTL

R6009KNJTL

La description: MOSFET N-CHANNEL 600V 9A TO263

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
R60100-1COR

R60100-1COR

La description: FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS

Fabricant: Bussmann (Eaton)
En stock
RFQ
R6007KNX

R6007KNX

La description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
R6006ANX

R6006ANX

La description: MOSFET N-CH 600V 6A TO-220FM

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
R601-000-000

R601-000-000

La description: GASKET

Fabricant: Hammond Manufacturing
En stock
RFQ
R601-000-001

R601-000-001

La description: GASKET

Fabricant: Hammond Manufacturing
En stock
RFQ
R601-000-002

R601-000-002

La description: GASKET

Fabricant: Hammond Manufacturing
En stock
RFQ
R6009-00

R6009-00

La description: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYLN 9.5MM

Fabricant: Harwin
En stock
RFQ
R6010-00

R6010-00

La description: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYL 10.5MM

Fabricant: Harwin
En stock
RFQ
R6007ENX

R6007ENX

La description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
R6008FNJTL

R6008FNJTL

La description: MOSFET N-CH 600V 8A LPTS

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
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