R6009KNJTL

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Spécifications

Modèle de produit

R6009KNJTL
Fabricant / marque

LAPIS Technology
Quantité en stock

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La description

MOSFET N-CHANNEL 600V 9A TO263
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.R6009KNJTL.pdf
2.R6009KNJTL.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-263
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

535 mOhm @ 2.8A, 10V
Dissipation de puissance (max)

94W (Tc)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms

R6009KNJTLTR
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

17 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

540pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

16.5nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

Schottky Diode (Isolated)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

600V
Description détaillée

N-Channel 600V 9A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount TO-263
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

9A (Tc)

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R6008ANX

La description: MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM

Fabricant: LAPIS Semiconductor

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