R6035ENZC8

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Spécifications

Modèle de produit

R6035ENZC8
Fabricant / marque

LAPIS Technology
Quantité en stock

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La description

MOSFET N-CH 600V 35A TO3PF
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

R6035ENZC8.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-3PF
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

102 mOhm @ 18.1A, 10V
Dissipation de puissance (max)

120W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-3P-3 Full Pack
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

17 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2720pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

110nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

600V
Description détaillée

N-Channel 600V 35A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-3PF
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

35A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "R6035ENZC8".

R6031025HSYA

La description: DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205

Fabricant: Powerex, Inc.

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