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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > R6035KNZ1C9
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4453207R6035KNZ1C9 imageLAPIS Semiconductor

R6035KNZ1C9

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Spécifications
  • Modèle de produit
    R6035KNZ1C9
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CHANNEL 600V 35A TO247
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    TO-247
  • Séries
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    102 mOhm @ 18.1A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    379W (Tc)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    TO-247-3
  • Autres noms
    R6035KNZ1C9TR
    R6035KNZ1C9TR-ND
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    17 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    3000pF @ 25V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    72nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    600V
  • Description détaillée
    N-Channel 600V 35A (Tc) 379W (Tc) Through Hole TO-247
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    35A (Tc)
R6031225HSYA

R6031225HSYA

La description: DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205

Fabricant: Powerex, Inc.
En stock
R6031025HSYA

R6031025HSYA

La description: DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205

Fabricant: Powerex, Inc.
En stock
R6031035ESYA

R6031035ESYA

La description: DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205

Fabricant: Powerex, Inc.
En stock
R60400-3CR

R60400-3CR

La description: FUSE BLOK CART 600V 400A CHASSIS

Fabricant: Bussmann (Eaton)
En stock
R60400-1STR

R60400-1STR

La description: FUSE BLOK CART 600V 400A CHASSIS

Fabricant: Bussmann (Eaton)
En stock
R60400-1CR

R60400-1CR

La description: FUSE BLOK CART 600V 400A CHASSIS

Fabricant: Bussmann (Eaton)
En stock
R6046ANZC8

R6046ANZC8

La description: MOSFET N-CH 10V DRIVE TO-3PF

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
R6031235ESYA

R6031235ESYA

La description: DIODE GEN PURP 1.2KV 350A DO205

Fabricant: Powerex, Inc.
En stock
R6035ENZC8

R6035ENZC8

La description: MOSFET N-CH 600V 35A TO3PF

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
R6031425HSYA

R6031425HSYA

La description: DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205

Fabricant: Powerex, Inc.
En stock
R6031022PSYA

R6031022PSYA

La description: DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205

Fabricant: Powerex, Inc.
En stock
R6046ANZ1C9

R6046ANZ1C9

La description: MOSFET N-CH 600V 46A TO247

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
R6047ENZ1C9

R6047ENZ1C9

La description: MOSFET N-CH 600V 47A TO247

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
R6046FNZC8

R6046FNZC8

La description: MOSFET N-CH 600V 46A TO-3PF

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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R60400-1STRM

R60400-1STRM

La description: FUSE BLOK CART 600V 400A CHASSIS

Fabricant: Bussmann (Eaton)
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R6031222PSYA

R6031222PSYA

La description: DIODE GEN PURP 1.2KV 220A DO205

Fabricant: Powerex, Inc.
En stock
R6046FNZ1C9

R6046FNZ1C9

La description: MOSFET N-CH 600V 46A TO247

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
R6031435ESYA

R6031435ESYA

La description: DIODE GEN PURP 1.4KV 350A DO205

Fabricant: Powerex, Inc.
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R6035ENZ1C9

R6035ENZ1C9

La description: MOSFET N-CH 600V 35A TO247

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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R6035KNZC8

R6035KNZC8

La description: MOSFET N-CHANNEL 600V 35A TO3PF

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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