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2613404RFN30TS6SGC11 imageLAPIS Semiconductor

RFN30TS6SGC11

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Spécifications
  • Modèle de produit
    RFN30TS6SGC11
  • Fabricant / marque
    LAPIS Technology
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    DIODE GEN PURP 600V 30A TO247
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    1.RFN30TS6SGC11.pdf
    2.RFN30TS6SGC11.pdf
  • Tension - directe (Vf) (max) @ Si
    1.55V @ 30A
  • Tension - inverse (Vr) (max)
    600V
  • Package composant fournisseur
    TO-247
  • La vitesse
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Séries
    -
  • Temps de recouvrement inverse (trr)
    60ns
  • Emballage
    Bulk
  • Package / Boîte
    TO-247-3
  • Température d'utilisation - Jonction
    150°C (Max)
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    10 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Type de diode
    Standard
  • Description détaillée
    Diode Standard 600V 30A Through Hole TO-247
  • Courant - fuite, inverse à Vr
    10µA @ 600V
  • Courant - Rectifié moyenne (Io)
    30A
  • Capacité à Vr, F
    -

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Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "RFN30TS6SGC11".
RFN3B2STL

RFN3B2STL

La description: DIODE GEN PURPOSE CPD

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RFQ
RFN3BM2STL

RFN3BM2STL

La description: DIODE GEN PURP 200V 3A TO252

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RFQ
RFN2LAM6STR

RFN2LAM6STR

La description: DIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDTM

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RFQ
RFN3B6STL

RFN3B6STL

La description: DIODE GEN PURPOSE CPD

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RFQ
RFN3BGE6STL

RFN3BGE6STL

La description: SUPER FAST RECOVERY DIODE

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RFQ
RFN3BM6SFHTL

RFN3BM6SFHTL

La description: SUPER FAST RECOVERY DIODE (CORRE

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RFQ
RFN20TJ6SGC9

RFN20TJ6SGC9

La description: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RFQ
RFN20TF6S

RFN20TF6S

La description: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220NFM

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
RFN20NS6STL

RFN20NS6STL

La description: DIODE GEN PURP 600V 20A LPDS

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RFQ
RFN5B3STL

RFN5B3STL

La description: DIODE GEN PURPOSE CPD

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RFQ
RFN30TS6DGC11

RFN30TS6DGC11

La description: DIODE ARRAY GP 600V 15A TO247

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RFQ
RFN5B2STL

RFN5B2STL

La description: DIODE GEN PURPOSE CPD

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RFQ
RFN2L6STE25

RFN2L6STE25

La description: DIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDS

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RFQ
RFN5B6STL

RFN5B6STL

La description: DIODE GEN PURP 600V 5A CPD

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RFQ
RFN20NS6SFHTL

RFN20NS6SFHTL

La description: FAST RECOVERY DIODES (CORRESPOND

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RFQ
RFN3BM6STL

RFN3BM6STL

La description: DIODE GEN PURP 600V 3A TO252

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RFQ
RFN2L4STE25

RFN2L4STE25

La description: DIODE SCHOTTKY 400V 1.5A PMDS

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RFQ
RFN2LAM4STR

RFN2LAM4STR

La description: DIODE GEN PURP 400V 1.5A PMDTM

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RFQ
RFN20TF6SFH

RFN20TF6SFH

La description: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220NFM

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RFQ
RFN3BM2SFHTL

RFN3BM2SFHTL

La description: DIODE GEN PURP 200V 3A TO252

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RFQ
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