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4593852RFN5B6STL imageLAPIS Semiconductor

RFN5B6STL

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Spécifications
  • Modèle de produit
    RFN5B6STL
  • Fabricant / marque
    LAPIS Technology
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    DIODE GEN PURP 600V 5A CPD
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    RFN5B6STL.pdf
  • Modèle ECAD
  • Tension - directe (Vf) (max) @ Si
    1.55V @ 5A
  • Tension - inverse (Vr) (max)
    600V
  • Package composant fournisseur
    CPD
  • La vitesse
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Séries
    -
  • Temps de recouvrement inverse (trr)
    50ns
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Température d'utilisation - Jonction
    150°C (Max)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Type de diode
    Standard
  • Description détaillée
    Diode Standard 600V 5A Surface Mount CPD
  • Courant - fuite, inverse à Vr
    10µA @ 600V
  • Courant - Rectifié moyenne (Io)
    5A
  • Capacité à Vr, F
    -

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Paiement
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RFN5BM3STL

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La description: DIODE GEN PURP 350V 5A TO252

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
RFN5BM6SFHTL

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La description: SUPER FAST RECOVERY DIODE (CORRE

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RFQ
RFN3B6STL

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La description: DIODE GEN PURPOSE CPD

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RFN3BM6SFHTL

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La description: SUPER FAST RECOVERY DIODE (CORRE

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
RFN5BGE3STL

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La description: SUPER FAST RECOVERY DIODE

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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La description: DIODE GEN PURPOSE CPD

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RFN6BM2DTL

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Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RFQ
RFN5BM2STL

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La description: DIODE GEN PURP 200V 5A TO252

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
RFN5BM2SFHTL

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La description: SUPER FAST RECOVERY DIODE (CORRE

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
RFN5B3STL

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La description: DIODE GEN PURPOSE CPD

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RFQ
RFN3BM2SFHTL

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La description: DIODE GEN PURP 200V 3A TO252

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RFQ
RFN5B2STL

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La description: DIODE GEN PURPOSE CPD

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RFN6B2DTL

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La description: DIODE GEN PURPOSE TO252

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RFQ
RFN5BM6STL

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La description: DIODE GEN PURP 600V 5A TO252

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RFQ
RFN6BM2DFHTL

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La description: SUPER FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RFQ
RFN3BM2STL

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La description: DIODE GEN PURP 200V 3A TO252

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RFN3BM6STL

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La description: DIODE GEN PURP 600V 3A TO252

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RFN30TS6SGC11

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La description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RFQ
RFN3BGE6STL

RFN3BGE6STL

La description: SUPER FAST RECOVERY DIODE

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RFQ
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