RFNL10TJ6SGC9

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Spécifications

Modèle de produit

RFNL10TJ6SGC9
Fabricant / marque

LAPIS Technology
Quantité en stock

En stock
La description
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.RFNL10TJ6SGC9.pdf
2.RFNL10TJ6SGC9.pdf
Modèle ECAD
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

1.3V @ 10A
Tension - inverse (Vr) (max)

600V
Package composant fournisseur

TO-220ACFP
La vitesse

Fast Recovery = 200mA (Io)
Séries

-
Temps de recouvrement inverse (trr)

150ns
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-220-2
Température d'utilisation - Jonction

150°C (Max)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

10 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Type de diode

Standard
Description détaillée

Diode Standard 600V 10A Through Hole TO-220ACFP
Courant - fuite, inverse à Vr

10µA @ 600V
Courant - Rectifié moyenne (Io)

10A
Capacité à Vr, F

-

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livraison
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Nous prenons en charge plusieurs méthodes de paiement, y compris les cartes de crédit, les transports en fil et d'autres options, et acceptons la plupart des devises.Pour les commandes passées en USD, des options de paiement supplémentaires sont disponibles.Pour plus de détails sur les méthodes et procédures de paiement, veuillez contacter notre équipe de vente.

Ce qui suit est des produits liés à "RFNL10TJ6SGC9".

RFN5BM3STL

La description: DIODE GEN PURP 350V 5A TO252

Fabricant: LAPIS Semiconductor

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