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RJU002N06FRAT106

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Spécifications
  • Modèle de produit
    RJU002N06FRAT106
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    2.5V DRIVE NCH MOSFET (CORRESPON
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    UMT3
  • Séries
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.3 Ohm @ 200mA, 4.5V
  • Dissipation de puissance (max)
    200mW (Ta)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    SC-70, SOT-323
  • Autres noms
    RJU002N06FRAT106TR
  • Température de fonctionnement
    150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    10 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    18pF @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    2.5V, 4.5V
  • Tension drain-source (Vdss)
    60V
  • Description détaillée
    N-Channel 60V 200mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount UMT3
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    200mA (Ta)
RJU6053SDPE-00#J3

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La description: DIODE GEN PURP 600V 20A LDPAK

Fabricant: Renesas Electronics America
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RJU3052SDPD-E0#J2

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La description: DIODE GEN PURP 360V 20A TO252

Fabricant: Renesas Electronics America
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RJU6054SDPE-00#J3

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La description: DIODE GEN PURP 600V 30A LDPAK

Fabricant: Renesas Electronics America
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RJU4352SDPD-E0#J2

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La description: DIODE GEN PURP 430V 20A TO252

Fabricant: Renesas Electronics America
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RJU4351TDPP-EJ#T2

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La description: DIODE GP 430V 10A TO220FP-2L

Fabricant: Renesas Electronics America
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La description: DIODE GEN PURP 430V 10A LDPAK

Fabricant: Renesas Electronics America
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RJU6052SDPD-E0#J2

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La description: DIODE GEN PURP 600V 20A TO252

Fabricant: Renesas Electronics America
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RJU6053WDPP-M0#T2

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La description: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220FL

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RJU002N06T106

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La description: MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RJU60C2SDPD-E0#J2

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La description: DIODE GEN PURP 600V 5A TO252

Fabricant: Renesas Electronics America
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RJU6053TDPP-EJ#T2

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La description: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220FP

Fabricant: Renesas Electronics America
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RJU6052SDPE-00#J3

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La description: DIODE GEN PURP 600V 20A LDPAK

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RJU003N03T106

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La description: MOSFET N-CH 30V 300MA SOT-323

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La description: DIODE GEN PURP 600V 10A TO252

Fabricant: Renesas Electronics America
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RJU4352SDPE-00#J3

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La description: DIODE GEN PURP 430V 20A LDPAK

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RJU6054TDPP-EJ#T2

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La description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO220FP

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La description: DIODE GP 430V 20A TO220FP-2L

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La description: DIODE GEN PURP 360V 10A LDPAK

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La description: DIODE GEN PURP 600V 10A TO220FP

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