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RJU4352SDPD-E0#J2

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Spécifications
  • Modèle de produit
    RJU4352SDPD-E0#J2
  • Fabricant / marque
    Renesas Electronics Corporation
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    DIODE GEN PURP 430V 20A TO252
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    RJU4352SDPD-E0#J2.pdf
  • Tension - directe (Vf) (max) @ Si
    1.8V @ 20A
  • Tension - inverse (Vr) (max)
    430V
  • Package composant fournisseur
    TO-252
  • La vitesse
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Séries
    -
  • Temps de recouvrement inverse (trr)
    25ns
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Température d'utilisation - Jonction
    -55°C ~ 150°C
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Type de diode
    Standard
  • Description détaillée
    Diode Standard 430V 20A Surface Mount TO-252
  • Courant - fuite, inverse à Vr
    1µA @ 430V
  • Courant - Rectifié moyenne (Io)
    20A
  • Capacité à Vr, F
    -

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Expédition
Paiement
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RJU6053SDPE-00#J3

RJU6053SDPE-00#J3

La description: DIODE GEN PURP 600V 20A LDPAK

Fabricant: Renesas Electronics America
En stock
RFQ
RJU3051SDPE-00#J3

RJU3051SDPE-00#J3

La description: DIODE GEN PURP 360V 10A LDPAK

Fabricant: Renesas Electronics America
En stock
RFQ
RJU4352SDPE-00#J3

RJU4352SDPE-00#J3

La description: DIODE GEN PURP 430V 20A LDPAK

Fabricant: Renesas Electronics America
En stock
RFQ
RJU3052SDPD-E0#J2

RJU3052SDPD-E0#J2

La description: DIODE GEN PURP 360V 20A TO252

Fabricant: Renesas Electronics America
En stock
RFQ
RJU4351SDPE-00#J3

RJU4351SDPE-00#J3

La description: DIODE GEN PURP 430V 10A LDPAK

Fabricant: Renesas Electronics America
En stock
RFQ
RJU60C2TDPP-EJ#T2

RJU60C2TDPP-EJ#T2

La description: DIODE GEN PURP 600V 5A TO220FP

Fabricant: Renesas Electronics America
En stock
RFQ
RJU002N06T106

RJU002N06T106

La description: MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
RJU6052SDPE-00#J3

RJU6052SDPE-00#J3

La description: DIODE GEN PURP 600V 20A LDPAK

Fabricant: Renesas Electronics America
En stock
RFQ
RJU6052SDPD-E0#J2

RJU6052SDPD-E0#J2

La description: DIODE GEN PURP 600V 20A TO252

Fabricant: Renesas Electronics America
En stock
RFQ
RJU60C2SDPD-E0#J2

RJU60C2SDPD-E0#J2

La description: DIODE GEN PURP 600V 5A TO252

Fabricant: Renesas Electronics America
En stock
RFQ
RJU4351TDPP-EJ#T2

RJU4351TDPP-EJ#T2

La description: DIODE GP 430V 10A TO220FP-2L

Fabricant: Renesas Electronics America
En stock
RFQ
RJU4352TDPP-EJ#T2

RJU4352TDPP-EJ#T2

La description: DIODE GP 430V 20A TO220FP-2L

Fabricant: Renesas Electronics America
En stock
RFQ
RJU6054TDPP-EJ#T2

RJU6054TDPP-EJ#T2

La description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO220FP

Fabricant: Renesas Electronics America
En stock
RFQ
RJU6053WDPP-M0#T2

RJU6053WDPP-M0#T2

La description: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220FL

Fabricant: Renesas Electronics America
En stock
RFQ
RJU60C3SDPD-E0#J2

RJU60C3SDPD-E0#J2

La description: DIODE GEN PURP 600V 10A TO252

Fabricant: Renesas Electronics America
En stock
RFQ
RJU6053TDPP-EJ#T2

RJU6053TDPP-EJ#T2

La description: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220FP

Fabricant: Renesas Electronics America
En stock
RFQ
RJU002N06FRAT106

RJU002N06FRAT106

La description: 2.5V DRIVE NCH MOSFET (CORRESPON

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
RJU003N03T106

RJU003N03T106

La description: MOSFET N-CH 30V 300MA SOT-323

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
RJU6052TDPP-EJ#T2

RJU6052TDPP-EJ#T2

La description: DIODE GEN PURP 600V 10A TO220FP

Fabricant: Renesas Electronics America
En stock
RFQ
RJU6054SDPE-00#J3

RJU6054SDPE-00#J3

La description: DIODE GEN PURP 600V 30A LDPAK

Fabricant: Renesas Electronics America
En stock
RFQ
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