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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Diodes - RF > RN262GT2R
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1307159RN262GT2R imageLAPIS Semiconductor

RN262GT2R

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Spécifications
  • Modèle de produit
    RN262GT2R
  • Fabricant / marque
    LAPIS Technology
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    DIODE PIN HF SW 30V 100MA VMD2
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    1.RN262GT2R.pdf
    2.RN262GT2R.pdf
  • Tension - Inverse de crête (max)
    30V
  • Package composant fournisseur
    VMD2
  • Séries
    -
  • Résistance @ Si, F
    1.5 Ohm @ 10mA, 100MHz
  • Dissipation de puissance (max)
    100mW
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    2-SMD, Flat Lead
  • Température de fonctionnement
    150°C (TJ)
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    10 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Type de diode
    PIN - Single
  • Description détaillée
    RF Diode PIN - Single 30V 100mA 100mW VMD2
  • Courant - Max
    100mA
  • Capacité à Vr, F
    0.4pF @ 1V, 1MHz

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Expédition
Paiement
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RN2704JE(TE85L,F)

RN2704JE(TE85L,F)

La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RFQ
RN2707JE(TE85L,F)

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La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RFQ
RN2606(TE85L,F)

RN2606(TE85L,F)

La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RFQ
RN2601(TE85L,F)

RN2601(TE85L,F)

La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RFQ
RN2607(TE85L,F)

RN2607(TE85L,F)

La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RFQ
RN2710JE(TE85L,F)

RN2710JE(TE85L,F)

La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RFQ
RN2604(TE85L,F)

RN2604(TE85L,F)

La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RFQ
RN2702TE85LF

RN2702TE85LF

La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RFQ
RN2708JE(TE85L,F)

RN2708JE(TE85L,F)

La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RFQ
RN2608(TE85L,F)

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La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RFQ
RN2610(TE85L,F)

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La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RFQ
RN2706JE(TE85L,F)

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La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RFQ
RN2603(TE85L,F)

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La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

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RFQ
RN2701JE(TE85L,F)

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La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RFQ
RN2705JE(TE85L,F)

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La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

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RFQ
RN2605(TE85L,F)

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La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

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RN2602(TE85L,F)

RN2602(TE85L,F)

La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN2709JE(TE85L,F)

RN2709JE(TE85L,F)

La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RFQ
RN2703JE(TE85L,F)

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La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

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RFQ
RN262CST2R

RN262CST2R

La description: DIODE PIN HF SW 30V 100MA VMN2

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RFQ
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