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2276165RN2703JE(TE85L,F) imageToshiba Semiconductor and Storage

RN2703JE(TE85L,F)

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  • Modèle de produit
    RN2703JE(TE85L,F)
  • Fabricant / marque
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    RN2703JE(TE85L,F).pdf
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    50V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Transistor Type
    2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
  • Package composant fournisseur
    ESV
  • Séries
    -
  • Résistance - Base de l'émetteur (R2)
    22 kOhms
  • Résistance - Base (R1)
    22 kOhms
  • Puissance - Max
    100mW
  • Emballage
    Cut Tape (CT)
  • Package / Boîte
    SOT-553
  • Autres noms
    RN2703JE(TE85LF)CT
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Fréquence - Transition
    200MHz
  • Description détaillée
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ESV
  • Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    70 @ 10mA, 5V
  • Courant - Collecteur Cutoff (Max)
    100nA (ICBO)
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    100mA

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RN2708JE(TE85L,F)

RN2708JE(TE85L,F)

La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RFQ
RN2706JE(TE85L,F)

RN2706JE(TE85L,F)

La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RFQ
RN2606(TE85L,F)

RN2606(TE85L,F)

La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RFQ
RN2709JE(TE85L,F)

RN2709JE(TE85L,F)

La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RFQ
RN2710JE(TE85L,F)

RN2710JE(TE85L,F)

La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RFQ
RN262CST2R

RN262CST2R

La description: DIODE PIN HF SW 30V 100MA VMN2

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RFQ
RN2610(TE85L,F)

RN2610(TE85L,F)

La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RFQ
RN2604(TE85L,F)

RN2604(TE85L,F)

La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RFQ
RN2608(TE85L,F)

RN2608(TE85L,F)

La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RFQ
RN2707JE(TE85L,F)

RN2707JE(TE85L,F)

La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RFQ
RN262GT2R

RN262GT2R

La description: DIODE PIN HF SW 30V 100MA VMD2

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RFQ
RN2701JE(TE85L,F)

RN2701JE(TE85L,F)

La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN2712JE(TE85L,F)

RN2712JE(TE85L,F)

La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN2705JE(TE85L,F)

RN2705JE(TE85L,F)

La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN2704JE(TE85L,F)

RN2704JE(TE85L,F)

La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

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RN2711JE(TE85L,F)

RN2711JE(TE85L,F)

La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

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RN2605(TE85L,F)

RN2605(TE85L,F)

La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

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RN2702TE85LF

RN2702TE85LF

La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV

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RN2607(TE85L,F)

RN2607(TE85L,F)

La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

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RN2711(TE85L,F)

RN2711(TE85L,F)

La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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