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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > RQ6C065BCTCR

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RQ6C065BCTCR image

LAPIS Semiconductor

RQ6C065BCTCR

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Spécifications

Modèle de produit

RQ6C065BCTCR
Fabricant / marque

LAPIS Technology
Quantité en stock

En stock
La description

PCH -20V -6.5A MIDDLE POWER MOSF
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.RQ6C065BCTCR.pdf
2.RQ6C065BCTCR.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 1mA
Vgs (Max)

±8V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TSMT6 (SC-95)
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

21 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Dissipation de puissance (max)

1.25W (Tc)
Emballage

Original-Reel®
Package / Boîte

SC-95-6
Autres noms

RQ6C065BCTCRDKR
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1520pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 4.5V
type de FET

P-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V
Tension drain-source (Vdss)

20V
Description détaillée

P-Channel 20V 6.5A (Tc) 1.25W (Tc) Surface Mount TSMT6 (SC-95)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

6.5A (Tc)

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Expédition

Paiement

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Fabricant: IXYS Corporation

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