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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > RU1C002UNTCL
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9289RU1C002UNTCL imageLAPIS Semiconductor

RU1C002UNTCL

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Spécifications
  • Modèle de produit
    RU1C002UNTCL
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 20V 0.2A UMT3F
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    UMT3F
  • Séries
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.2 Ohm @ 200mA, 2.5V
  • Dissipation de puissance (max)
    150mW (Ta)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    SC-85
  • Autres noms
    RU1C002UNTCL-ND
    RU1C002UNTCLTR
  • Température de fonctionnement
    150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    10 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    25pF @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    1.2V, 2.5V
  • Tension drain-source (Vdss)
    20V
  • Description détaillée
    N-Channel 20V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount UMT3F
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    200mA (Ta)
RU1608JR068CS

RU1608JR068CS

La description: RES 0.068 OHM 5% 1/4W 0603

Fabricant: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
En stock
RU1C001ZPTL

RU1C001ZPTL

La description: MOSFET P-CH 20V 0.1A UMT3F

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RU1E002SPTCL

RU1E002SPTCL

La description: MOSFET P-CH 30V 0.25A UMT3F

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RU1608JR039CS

RU1608JR039CS

La description: RES 39M OHM 5% 1/4W 0603

Fabricant: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
En stock
RU1608JR043CS

RU1608JR043CS

La description: RES 43M OHM 5% 1/4W 0603

Fabricant: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
En stock
RU1608JR036CS

RU1608JR036CS

La description: RES 36M OHM 5% 1/4W 0603

Fabricant: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
En stock
RU1608JR033CS

RU1608JR033CS

La description: RES 33M OHM 5% 1/4W 0603

Fabricant: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
En stock
RU1608JR082CS

RU1608JR082CS

La description: RES 82M OHM 5% 1/4W 0603

Fabricant: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
En stock
RU1C002ZPTCL

RU1C002ZPTCL

La description: MOSFET P-CH 20V 0.2A UMT3F

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RU1608JR100CS

RU1608JR100CS

La description: RES 100M OHM 5% 1/4W 0603

Fabricant: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
En stock
RU1608JR056CS

RU1608JR056CS

La description: RES 56M OHM 5% 1/4W 0603

Fabricant: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
En stock
RU1608JR062CS

RU1608JR062CS

La description: RES 62M OHM 5% 1/4W 0603

Fabricant: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
En stock
RU1608JR030CS

RU1608JR030CS

La description: RES 30M OHM 5% 1/4W 0603

Fabricant: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
En stock
RU1608JR047CS

RU1608JR047CS

La description: RES 47M OHM 5% 1/4W 0603

Fabricant: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
En stock
RU1608JR075CS

RU1608JR075CS

La description: RES 75M OHM 5% 1/4W 0603

Fabricant: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
En stock
RU1C001UNTCL

RU1C001UNTCL

La description: MOSFET N-CH 20V 0.1A UMT3F

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RU1608JR051CS

RU1608JR051CS

La description: RES 51M OHM 5% 1/4W 0603

Fabricant: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
En stock
RU1J002YNTCL

RU1J002YNTCL

La description: MOSFET N-CH 50V 0.2A UMT3F

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RU1608JR027CS

RU1608JR027CS

La description: RES 27M OHM 5% 1/4W 0603

Fabricant: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
En stock
RU1608JR091CS

RU1608JR091CS

La description: RES 91M OHM 5% 1/4W 0603

Fabricant: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
En stock

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