SH8KA4TB

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Spécifications

Modèle de produit

SH8KA4TB
Fabricant / marque

LAPIS Technology
Quantité en stock

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La description

30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.SH8KA4TB.pdf
2.SH8KA4TB.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA
Package composant fournisseur

8-SOP
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

21.4 mOhm @ 9A, 10V
Puissance - Max

3W
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Autres noms

SH8KA4TBTR
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

640pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

15.5nC @ 10V
type de FET

2 N-Channel (Dual)
Fonction FET

-
Tension drain-source (Vdss)

30V
Description détaillée

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 9A 3W Surface Mount 8-SOP
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

9A

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Ce qui suit est des produits liés à "SH8KA4TB".

SH8M11TB1

La description: MOSFET N/P-CH 30V 3.5A 8SOP

Fabricant: LAPIS Semiconductor

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