SH8M13GZETB

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Spécifications

Modèle de produit

SH8M13GZETB
Fabricant / marque

LAPIS Technology
Quantité en stock

En stock
La description

MIDDLE POWER MOSFET SERIES (DUAL
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

SH8M13GZETB.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA
Package composant fournisseur

8-SOP
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

29 mOhm @ 7A, 10V
Puissance - Max

2W
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Autres noms

SH8M13GZETBTR
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1200pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 5V
type de FET

N and P-Channel
Fonction FET

-
Tension drain-source (Vdss)

30V
Description détaillée

Mosfet Array N and P-Channel 30V 6A, 7A 2W Surface Mount 8-SOP
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

6A, 7A

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SH8M41TB1

La description:

Fabricant: LAPIS Semiconductor

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