SP8M70TB1

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Spécifications

Modèle de produit

SP8M70TB1
Fabricant / marque

LAPIS Technology
Quantité en stock

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La description

MOSFET N/P-CH 250V 3A/2.5A 8SOIC
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

SP8M70TB1.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA
Package composant fournisseur

8-SOP
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.63 Ohm @ 1.5A, 10V
Puissance - Max

650mW
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

180pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

5.2nC @ 10V
type de FET

N and P-Channel
Fonction FET

Standard
Tension drain-source (Vdss)

250V
Description détaillée

Mosfet Array N and P-Channel 250V 3A, 2.5A 650mW Surface Mount 8-SOP
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

3A, 2.5A

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Ce qui suit est des produits liés à "SP8M70TB1".

SP8M51FRATB

La description: 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET

Fabricant: LAPIS Semiconductor

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