US6U37TR

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Spécifications

Modèle de produit

US6U37TR
Fabricant / marque

LAPIS Technology
Quantité en stock

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La description

MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT6
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

US6U37TR.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±12V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TUMT6
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

240 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Dissipation de puissance (max)

1W (Ta)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

6-SMD, Flat Leads
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

80pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

2.2nC @ 4.5V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

Schottky Diode (Isolated)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

2.5V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss)

30V
Description détaillée

N-Channel 30V 1.5A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount TUMT6
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

1.5A (Ta)

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US6T4TR

La description: TRANS PNP 12V 3A TUMT6

Fabricant: LAPIS Semiconductor

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