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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaires (BJT) - Single > US6T7TR
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990556US6T7TR imageLAPIS Semiconductor

US6T7TR

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Spécifications
  • Modèle de produit
    US6T7TR
  • Fabricant / marque
    LAPIS Technology
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    TRANS PNP 30V 1.5A TUMT6
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    US6T7TR.pdf
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    30V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    370mV @ 50mA, 1A
  • Transistor Type
    PNP
  • Package composant fournisseur
    TUMT6
  • Séries
    -
  • Puissance - Max
    1W
  • Emballage
    Cut Tape (CT)
  • Package / Boîte
    6-SMD, Flat Leads
  • Autres noms
    US6T7CT
  • Température de fonctionnement
    150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Fréquence - Transition
    280MHz
  • Description détaillée
    Bipolar (BJT) Transistor PNP 30V 1.5A 280MHz 1W Surface Mount TUMT6
  • Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    270 @ 100mA, 2V
  • Courant - Collecteur Cutoff (Max)
    100nA (ICBO)
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    1.5A
  • Numéro de pièce de base
    US6T

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Paiement
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Fabricant: Hamlin / Littelfuse
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La description: MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6

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US6U37TR

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La description: MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT6

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RFQ
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