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EDB1316BDBH-1DAUT-F-D

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    EDB1316BDBH-1DAUT-F-D
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  • La description
    IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    -
  • Tension - Alimentation
    1.14 V ~ 1.95 V
  • La technologie
    SDRAM - Mobile LPDDR2
  • Package composant fournisseur
    134-VFBGA (10x11.5)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tray
  • Package / Boîte
    134-VFBGA
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 125°C (TC)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    1Gb (64M x 16)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 1Gb (64M x 16) Parallel 533MHz 134-VFBGA (10x11.5)
  • Fréquence d'horloge
    533MHz
EDB2432B4MA-1DIT-F-D

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La description: IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ

Fabricant: Micron Technology
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La description: IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

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La description: IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

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La description: IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

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La description: IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

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La description: IC DRAM 2G PARALLEL 134VFBGA

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La description: IC DRAM 1G PARALLEL 168WFBGA

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