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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > EDB2432B4MA-1DAUT-F-R TR
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3853059EDB2432B4MA-1DAUT-F-R TR imageMicron Technology

EDB2432B4MA-1DAUT-F-R TR

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Spécifications
  • Modèle de produit
    EDB2432B4MA-1DAUT-F-R TR
  • Fabricant / marque
    Micron Technology
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRAM 2G PARALLEL 134VFBGA
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    EDB2432B4MA-1DAUT-F-R TR.pdf
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    -
  • Tension - Alimentation
    1.14 V ~ 1.95 V
  • La technologie
    SDRAM - Mobile LPDDR2
  • Package composant fournisseur
    134-VFBGA (10x11.5)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    134-VFBGA
  • Autres noms
    EDB2432B4MA-1DAUT-F-R TR-ND
    EDB2432B4MA-1DAUT-F-RTR
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 125°C (TC)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    2Gb (64M x 32)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 2Gb (64M x 32) Parallel 533MHz 134-VFBGA (10x11.5)
  • Fréquence d'horloge
    533MHz

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Paiement
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EDB4064B3PD-8D-F-D

EDB4064B3PD-8D-F-D

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 240FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
EDB2432BCPA-8D-F-D

EDB2432BCPA-8D-F-D

La description: IC DRAM 2G PARALLEL 168FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
EDB1332BDPC-1D-F-D

EDB1332BDPC-1D-F-D

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
EDB1332BDBH-1DIT-F-D

EDB1332BDBH-1DIT-F-D

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
EDB2432B4MA-1DIT-F-R TR

EDB2432B4MA-1DIT-F-R TR

La description: IC DRAM 2G PARALLEL 134VFBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
EDB2432BCPE-8D-F-D

EDB2432BCPE-8D-F-D

La description: IC DRAM 2G PARALLEL 168FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
EDB4064B3PB-8D-F-D

EDB4064B3PB-8D-F-D

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 216FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
EDB1332BDBH-1DAUT-F-R TR

EDB1332BDBH-1DAUT-F-R TR

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
EDB2432B4MA-1DAAT-F-D

EDB2432B4MA-1DAAT-F-D

La description: IC DRAM 2G PARALLEL 134VFBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
EDB4064B4PB-1D-F-R TR

EDB4064B4PB-1D-F-R TR

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 216WFBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
EDB2432B4MA-1DAAT-F-R TR

EDB2432B4MA-1DAAT-F-R TR

La description: IC DRAM 2G PARALLEL 134VFBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
EDB1332BDBH-1DIT-F-R TR

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La description: IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
EDB1332BDBH-1DAUT-F-D

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La description: IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

Fabricant: Micron Technology
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EDB2432B4MA-1DIT-F-D

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La description: IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
EDB4064B4PB-1D-F-D

EDB4064B4PB-1D-F-D

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 216WFBGA

Fabricant: Micron Technology
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EDB1332BDPC-1D-F-R TR

EDB1332BDPC-1D-F-R TR

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

Fabricant: Micron Technology
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EDB4064B4PB-1DIT-F-D

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La description: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

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EDB2432B4MA-1DAUT-F-D

EDB2432B4MA-1DAUT-F-D

La description: IC DRAM 2G PARALLEL 134VFBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
EDB1332BDPA-1D-F-D

EDB1332BDPA-1D-F-D

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 168WFBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
EDB4064B3PP-1D-F-D

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La description: IC DRAM 4G PARALLEL 240FBGA

Fabricant: Micron Technology
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