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EDB4064B3PP-1D-F-D

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Spécifications
  • Modèle de produit
    EDB4064B3PP-1D-F-D
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRAM 4G PARALLEL 240FBGA
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    -
  • Tension - Alimentation
    1.14 V ~ 1.95 V
  • La technologie
    SDRAM - Mobile LPDDR2
  • Package composant fournisseur
    240-FBGA (14x14)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tray
  • Package / Boîte
    240-WFBGA
  • Température de fonctionnement
    -30°C ~ 85°C (TC)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    4Gb (64M x 64)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 4Gb (64M x 64) Parallel 533MHz 240-FBGA (14x14)
  • Fréquence d'horloge
    533MHz
EDB2432B4MA-1DIT-F-D

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La description: IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ

Fabricant: Micron Technology
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EDB4064B4PB-1DIT-F-R

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La description: IC DRAM 4G PARALLEL 216WFBGA

Fabricant: Micron Technology
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La description: IC DRAM 2G PARALLEL 134VFBGA

Fabricant: Micron Technology
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La description: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Fabricant: Micron Technology
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La description: IC DRAM 2G PARALLEL 168FBGA

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La description: IC DRAM 4G PARALLEL 216WFBGA

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La description: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

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La description: IC DRAM 2G PARALLEL 134VFBGA

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La description: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

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La description: IC DRAM 2G PARALLEL 134VFBGA

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La description: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

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La description: IC DRAM 4G PARALLEL 240FBGA

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EDB4064B4PB-1DIT-F-D

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La description: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

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La description: IC DRAM 4G PARALLEL 216WFBGA

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La description: IC DRAM 4G PARALLEL 216FBGA

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La description: IC DRAM 2G PARALLEL 134VFBGA

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