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M29W256GH7AZS6E

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Spécifications
  • Modèle de produit
    M29W256GH7AZS6E
  • Fabricant / marque
    Micron Technology
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC FLASH 256M PARALLEL 64FBGA
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    M29W256GH7AZS6E.pdf
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    70ns
  • Tension - Alimentation
    2.7 V ~ 3.6 V
  • La technologie
    FLASH - NOR
  • Package composant fournisseur
    64-FBGA (11x13)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tray
  • Package / Boîte
    64-LBGA
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Non-Volatile
  • Taille mémoire
    256Mb (32M x 8, 16M x 16)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    FLASH
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    FLASH - NOR Memory IC 256Mb (32M x 8, 16M x 16) Parallel 70ns 64-FBGA (11x13)
  • Numéro de pièce de base
    M29W256
  • Temps d'accès
    70ns

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M29W256GH7AZA6E

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Fabricant: Micron Technology
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M29W256GH70ZA6E

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Fabricant: Micron Technology
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M29W256GH70ZS6F TR

M29W256GH70ZS6F TR

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M29W256GL70N6E

M29W256GL70N6E

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M29W256GL7AN6F TR

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M29W256GH70N6E

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Fabricant: Micron Technology
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M29W256GH7AN6E

M29W256GH7AN6E

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Fabricant: Micron Technology
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M29W256GL70ZA6E

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Fabricant: Micron Technology
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M29W256GL70ZA6F TR

M29W256GL70ZA6F TR

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M29W256GH70ZA6F TR

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M29W256GL70ZS6F TR

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M29W256GL70ZS6E

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M29W256GH70ZS3F TR

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M29W256GH70N6F TR

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M29W256GL7AN6E

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M29W256GH70ZS6E

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M29W256GL7AZA6E

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