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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > MT29E1T08CPCBBH8-6:B TR
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MT29E1T08CPCBBH8-6:B TR

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Spécifications
  • Modèle de produit
    MT29E1T08CPCBBH8-6:B TR
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC FLASH 1T PARALLEL 167MHZ
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    -
  • Tension - Alimentation
    2.7 V ~ 3.6 V
  • La technologie
    FLASH - NAND
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Autres noms
    MT29E1T08CPCBBH8-6:B TR-ND
    MT29E1T08CPCBBH8-6:BTR
  • Température de fonctionnement
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Non-Volatile
  • Taille mémoire
    1Tb (128G x 8)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    FLASH
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    FLASH - NAND Memory IC 1Tb (128G x 8) Parallel 167MHz
  • Fréquence d'horloge
    167MHz
MT29E1T08CUCCBH8-6:C TR

MT29E1T08CUCCBH8-6:C TR

La description: IC FLASH 1T PARALLEL 167MHZ

Fabricant: Micron Technology
En stock
MT29E1T208ECHBBJ4-3:B TR

MT29E1T208ECHBBJ4-3:B TR

La description: IC FLASH 1.125T PARALLEL 132VBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
MT29E128G08CECDBJ4-6:D TR

MT29E128G08CECDBJ4-6:D TR

La description: IC FLASH 128G PARALLEL 132VBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
MT29E256G08CECBBH6-6:B TR

MT29E256G08CECBBH6-6:B TR

La description: IC FLASH 256G PARALLEL 167MHZ

Fabricant: Micron Technology
En stock
MT29E1T08CMHBBJ4-3ES:B TR

MT29E1T08CMHBBJ4-3ES:B TR

La description: IC FLASH 1T PARALLEL 333MHZ

Fabricant: Micron Technology
En stock
MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR

MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR

La description: IC FLASH 1.5T PARALLEL 132VBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
MT29E1T08CUCCBH8-6:C

MT29E1T08CUCCBH8-6:C

La description: IC FLASH 1T PARALLEL 167MHZ

Fabricant: Micron Technology
En stock
MT29E128G08CECDBJ4-6:D

MT29E128G08CECDBJ4-6:D

La description: IC FLASH 128G PARALLEL 132VBGA

Fabricant: Micron Technology
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MT29E1T08CMHBBJ4-3:B

MT29E1T08CMHBBJ4-3:B

La description: IC FLASH 1T PARALLEL 333MHZ

Fabricant: Micron Technology
En stock
MT29E1T208ECHBBJ4-3ES:B TR

MT29E1T208ECHBBJ4-3ES:B TR

La description: IC FLASH 1.125T PARALLEL 132VBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
MT29E256G08CECCBH6-6:C

MT29E256G08CECCBH6-6:C

La description: IC FLASH 256G PARALLEL 167MHZ

Fabricant: Micron Technology
En stock
MT29E1T08CUCBBH8-6:B TR

MT29E1T08CUCBBH8-6:B TR

La description: IC FLASH 1T PARALLEL 167MHZ

Fabricant: Micron Technology
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MT29E256G08CBHBBJ4-3ES:B

MT29E256G08CBHBBJ4-3ES:B

La description: IC FLASH 256G PARALLEL 333MHZ

Fabricant: Micron Technology
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MT29E1HT08EMHBBJ4-3:B TR

MT29E1HT08EMHBBJ4-3:B TR

La description: IC FLASH 1.5T PARALLEL 132VBGA

Fabricant: Micron Technology
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MT29E1HT08ELHBBG1-3:B

MT29E1HT08ELHBBG1-3:B

La description: IC FLASH 1.5T PARALLEL 272VBGA

Fabricant: Micron Technology
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MT29E1T208ECHBBJ4-3:B

MT29E1T208ECHBBJ4-3:B

La description: IC FLASH 1.125T PARALLEL VBGA

Fabricant: Micron Technology
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MT29E256G08CECCBH6-6:C TR

MT29E256G08CECCBH6-6:C TR

La description: IC FLASH 256G PARALLEL 167MHZ

Fabricant: Micron Technology
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MT29E1T08CMHBBJ4-3:B TR

MT29E1T08CMHBBJ4-3:B TR

La description: IC FLASH 1T PARALLEL 333MHZ

Fabricant: Micron Technology
En stock
MT29E1HT08EMHBBJ4-3:B

MT29E1HT08EMHBBJ4-3:B

La description: IC FLASH 1.5T PARALLEL VBGA

Fabricant: Micron Technology
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MT29E1HT08ELHBBG1-3ES:B TR

MT29E1HT08ELHBBG1-3ES:B TR

La description: IC FLASH 1.5T PARALLEL 272VBGA

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