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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > MT29E256G08CECCBH6-6:C
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MT29E256G08CECCBH6-6:C

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Spécifications
  • Modèle de produit
    MT29E256G08CECCBH6-6:C
  • Fabricant / marque
    Micron Technology
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC FLASH 256G PARALLEL 167MHZ
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    -
  • Tension - Alimentation
    2.7 V ~ 3.6 V
  • La technologie
    FLASH - NAND
  • Séries
    -
  • Température de fonctionnement
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Non-Volatile
  • Taille mémoire
    256Gb (32G x 8)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    FLASH
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    FLASH - NAND Memory IC 256Gb (32G x 8) Parallel 167MHz
  • Fréquence d'horloge
    167MHz

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Paiement
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MT29E1T08CUCCBH8-6:C

MT29E1T08CUCCBH8-6:C

La description: IC FLASH 1T PARALLEL 167MHZ

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT29E256G08CMCABJ2-10Z:A

MT29E256G08CMCABJ2-10Z:A

La description: IC FLASH 256G PARALLEL 132TBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT29E1T08CUCCBH8-6:C TR

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La description: IC FLASH 1T PARALLEL 167MHZ

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT29E256G08CBHBBJ4-3ES:B

MT29E256G08CBHBBJ4-3ES:B

La description: IC FLASH 256G PARALLEL 333MHZ

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT29E1T208ECHBBJ4-3ES:B TR

MT29E1T208ECHBBJ4-3ES:B TR

La description: IC FLASH 1.125T PARALLEL 132VBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT29E2T08CTCBBJ7-6:B TR

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La description: IC FLASH 2T PARALLEL 167MHZ

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT29E256G08CMCABJ2-10Z:A TR

MT29E256G08CMCABJ2-10Z:A TR

La description: IC FLASH 256G PARALLEL 132VBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT29E256G08CECBBH6-6:B TR

MT29E256G08CECBBH6-6:B TR

La description: IC FLASH 256G PARALLEL 167MHZ

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT29E2T08CUHBBM4-3:B

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La description: IC FLASH 2T PARALLEL 333MHZ

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT29E1T208ECHBBJ4-3:B TR

MT29E1T208ECHBBJ4-3:B TR

La description: IC FLASH 1.125T PARALLEL 132VBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT29E256G08CECCBH6-6:C TR

MT29E256G08CECCBH6-6:C TR

La description: IC FLASH 256G PARALLEL 167MHZ

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT29E2T08CTCCBJ7-6:C

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La description: IC FLASH 2T PARALLEL 167MHZ

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT29E1T08CMHBBJ4-3ES:B TR

MT29E1T08CMHBBJ4-3ES:B TR

La description: IC FLASH 1T PARALLEL 333MHZ

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT29E1T208ECHBBJ4-3:B

MT29E1T208ECHBBJ4-3:B

La description: IC FLASH 1.125T PARALLEL VBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT29E256G08CMCDBJ5-6:D TR

MT29E256G08CMCDBJ5-6:D TR

La description: IC FLASH 256G PARALLEL 132TBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT29E2T08CUHBBM4-3:B TR

MT29E2T08CUHBBM4-3:B TR

La description: IC FLASH 2T PARALLEL 333MHZ

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT29E1T08CUCBBH8-6:B TR

MT29E1T08CUCBBH8-6:B TR

La description: IC FLASH 1T PARALLEL 167MHZ

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RFQ
MT29E256G08CMCDBJ5-6:D

MT29E256G08CMCDBJ5-6:D

La description: IC FLASH 256G PARALLEL 132TBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT29E1T08CPCBBH8-6:B TR

MT29E1T08CPCBBH8-6:B TR

La description: IC FLASH 1T PARALLEL 167MHZ

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RFQ
MT29E2T08CTCCBJ7-6:C TR

MT29E2T08CTCCBJ7-6:C TR

La description: IC FLASH 2T PARALLEL 167MHZ

Fabricant: Micron Technology
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