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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (CI) > Mémoire > MT29E512G08CUCABJ3-10Z:A TR
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MT29E512G08CUCABJ3-10Z:A TR

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Spécifications
  • Modèle de produit
    MT29E512G08CUCABJ3-10Z:A TR
  • Fabricant / marque
    Micron Technology
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC FLASH 512G PARALLEL 132LBGA
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    -
  • Tension - Alimentation
    2.7 V ~ 3.6 V
  • La technologie
    FLASH - NAND
  • Package composant fournisseur
    132-LBGA (12x18)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    132-LBGA
  • Autres noms
    MT29E512G08CUCABJ3-10Z:A TR-ND
    MT29E512G08CUCABJ3-10Z:ATR
  • Température de fonctionnement
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Non-Volatile
  • Taille mémoire
    512Gb (64G x 8)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    FLASH
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    FLASH - NAND Memory IC 512Gb (64G x 8) Parallel 100MHz 132-LBGA (12x18)
  • Fréquence d'horloge
    100MHz
  • Numéro de pièce de base
    MT29E512G08

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Paiement
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MT29E512G08CUCDBJ6-6:D TR

MT29E512G08CUCDBJ6-6:D TR

La description: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT29E6T08ETHBBM5-3:B

MT29E6T08ETHBBM5-3:B

La description: IC FLASH 6T PARALLEL 333MHZ

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT29E512G08CKCBBH7-6:B TR

MT29E512G08CKCBBH7-6:B TR

La description: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR

MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR

La description: IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT29E512G08CMCCBH7-6:C TR

MT29E512G08CMCCBH7-6:C TR

La description: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT29E6T08ETHBBM5-3:B TR

MT29E6T08ETHBBM5-3:B TR

La description: IC FLASH 6T PARALLEL 333MHZ

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT29F128G08AECBBH6-6:B TR

MT29F128G08AECBBH6-6:B TR

La description: IC FLASH 128G PARALLEL 152VBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT29E768G08EEHBBJ4-3:B TR

MT29E768G08EEHBBJ4-3:B TR

La description: IC FLASH 768G PARALLEL 333MHZ

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT29E512G08CUCABJ3-10Z:A

MT29E512G08CUCABJ3-10Z:A

La description: IC FLASH 512G PARALLEL 132LBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT29E512G08CMCCBH7-6ES:C TR

MT29E512G08CMCCBH7-6ES:C TR

La description: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT29E512G08CMCCBH7-6:C

MT29E512G08CMCCBH7-6:C

La description: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

Fabricant: Micron Technology
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MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR

MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR

La description: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

Fabricant: Micron Technology
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MT29E512G08CKCCBH7-6:C

MT29E512G08CKCCBH7-6:C

La description: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

Fabricant: Micron Technology
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MT29E768G08EEHBBJ4-3ES:B TR

MT29E768G08EEHBBJ4-3ES:B TR

La description: IC FLASH 768G PARALLEL 333MHZ

Fabricant: Micron Technology
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MT29E64G08CBCDBJ4-6:D

MT29E64G08CBCDBJ4-6:D

La description: IC FLASH 64GBIT 48TSOP

Fabricant: Micron Technology
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MT29E6T08ETHBBM5-3ES:B TR

MT29E6T08ETHBBM5-3ES:B TR

La description: IC FLASH 6T PARALLEL 333MHZ

Fabricant: Micron Technology
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MT29E768G08EEHBBJ4-3:B

MT29E768G08EEHBBJ4-3:B

La description: IC FLASH 768G PARALLEL 333MHZ

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT29E512G08CKCCBH7-6:C TR

MT29E512G08CKCCBH7-6:C TR

La description: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT29E512G08CEHBBJ4-3:B TR

MT29E512G08CEHBBJ4-3:B TR

La description: IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ

Fabricant: Micron Technology
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MT29E512G08CUCDBJ6-6:D

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La description: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

Fabricant: Micron Technology
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