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MT29F1G08ABADAWP-ITE:D

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Spécifications
  • Modèle de produit
    MT29F1G08ABADAWP-ITE:D
  • Fabricant / marque
    Micron Technology
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    -
  • Tension - Alimentation
    2.7 V ~ 3.6 V
  • La technologie
    FLASH - NAND
  • Séries
    -
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Non-Volatile
  • Taille mémoire
    1Gb (128M x 8)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    FLASH
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    FLASH - NAND Memory IC 1Gb (128M x 8) Parallel

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MT29F1G08ABADAH4-ITX:D TR

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La description: IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

Fabricant: Micron Technology
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MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E

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La description: IC FLASH 1G PARALLEL FBGA

Fabricant: Micron Technology
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Fabricant: Micron Technology
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MT29F1G08ABADAH4-ITE:D

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Fabricant: Micron Technology
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Fabricant: Micron Technology
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Fabricant: Micron Technology
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Fabricant: Micron Technology
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MT29F1G08ABADAWP:D TR

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Fabricant: Micron Technology
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MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E TR

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Fabricant: Micron Technology
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MT29F1G08ABADAH4:D

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MT29F1G08ABADAWP-ITX:D

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MT29F1G08ABADAH4-ITX:D

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