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2641734MT29F2G08ABBEAH4:E imageMicron Technology

MT29F2G08ABBEAH4:E

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Spécifications
  • Modèle de produit
    MT29F2G08ABBEAH4:E
  • Fabricant / marque
    Micron Technology
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    -
  • Tension - Alimentation
    1.7 V ~ 1.95 V
  • La technologie
    FLASH - NAND
  • Package composant fournisseur
    63-VFBGA (9x11)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Bulk
  • Package / Boîte
    63-VFBGA
  • Température de fonctionnement
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Non-Volatile
  • Taille mémoire
    2Gb (256M x 8)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    FLASH
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    FLASH - NAND Memory IC 2Gb (256M x 8) Parallel 63-VFBGA (9x11)
  • Numéro de pièce de base
    MT29F2G08

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MT29F2G08ABAGAWP-IT:G

MT29F2G08ABAGAWP-IT:G

La description: IC FLASH 2G PARALLEL TSOP

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
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Fabricant: Micron Technology
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La description: IC FLASH 2G PARALLEL TSOP

Fabricant: Micron Technology
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Fabricant: Micron Technology
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La description: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP

Fabricant: Micron Technology
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MT29F2G08ABBFAH4:F

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Fabricant: Micron Technology
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Fabricant: Micron Technology
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MT29F2G08ABBEAH4-ITX:E

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Fabricant: Micron Technology
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Fabricant: Micron Technology
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Fabricant: Micron Technology
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Fabricant: Micron Technology
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MT29F2G08ABBEAH4-AITX:E

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La description: IC FLASH 2G PARALLEL FBGA

Fabricant: Micron Technology
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MT29F2G08ABBEAM69A3WC1

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La description: IC FLASH 2G PARALLEL

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MT29F2G08ABBEAHC:E

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MT29F2G08ABBEAH4-IT:E TR

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MT29F2G08ABBEAH4-ITX:E TR

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RFQ
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