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MT29F4G01ABBFD12-AATES:F

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Spécifications
  • Modèle de produit
    MT29F4G01ABBFD12-AATES:F
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC FLASH 4G SPI TBGA
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    -
  • Tension - Alimentation
    1.7 V ~ 1.95 V
  • La technologie
    FLASH - NAND
  • Séries
    -
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 105°C (TC)
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Non-Volatile
  • Taille mémoire
    4Gb (4G x 1)
  • Interface mémoire
    SPI
  • Format de mémoire
    FLASH
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    FLASH - NAND Memory IC 4Gb (4G x 1) SPI
MT29F4G01ABAFDWB-ITES:F TR

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La description: IC FLASH 4G SPI UPDFN

Fabricant: Micron Technology
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Fabricant: Micron Technology
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Fabricant: Micron Technology
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Fabricant: Micron Technology
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La description: IC FLASH 4G SPI 63VFBGA

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Fabricant: Micron Technology
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La description: IC FLASH 4G SPI 8UPDFN

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Fabricant: Micron Technology
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La description: IC FLASH 4G SPI SOIC

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Fabricant: Micron Technology
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La description: IC FLASH 4G SPI UPDFN

Fabricant: Micron Technology
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La description: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Fabricant: Micron Technology
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La description: IC FLASH 4G SPI UPDFN

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